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Suchergebnisse - 金村, 高司
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Titel
1
SiCとAlN/GaN短周期超格子によるパワーデバイスの理論的提案
von
小嶋, 英嗣
,
長川, 健太
,
白川, 裕規
,
洗平, 昌晃
,
海老原, 康裕
,
金村, 高司
,
恩田, 正一
,
白石, 賢二
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応用物理学会学術講演会講演予稿集
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2
SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討
von
小嶋, 英嗣
,
遠藤, 賢太郎
,
白川, 裕規
,
洗平, 昌晃
,
海老原, 康裕
,
金村, 高司
,
恩田, 正一
,
白石, 賢二
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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3
4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における微視的構造の特徴の赤外分光法による解析
von
黒山, 滉平
,
平井, 悠久
,
山本, 建策
,
金村, 髙司
,
喜多, 浩之
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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Artikel
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4
SiO2/SiC MOS 構造における伝導帯端近傍の界面特性
von
竹内, 和歌奈
,
山本, 建策
,
坂下, 満男
,
金村, 髙司
,
中塚, 理
,
財満, 鎭明
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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Artikel
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5
Interfacial Properties near Conduction Band Edge in SiO2/SiC MOS Structures II
von
takeuchi, Wakana
,
Yamamoto, Kensaku
,
Sakashita, Mitsuo
,
Kanemura, Takashi
,
Nakatsuka, Osamu
,
Zaima, Shigeaki
Veröffentlicht in
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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Artikel
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Sic/Gan界面
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