Fe / GaOx / MgO / Feを用いた縦型スピン電界効果トランジスタの室温での動作実証 von 金木, 俊樹, 松本, 真, Narayananellore, Sai Krishina, 齋藤, 秀和, 岩佐, 義宏, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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GaMnAsを用いた縦型電気二重層スピンMOSFETの性能向上 von 山崎, 浩樹, 金木, 俊樹, 寺田, 博, 岩佐, 義宏, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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GaMnAsを用いた全固体縦型スピンMOSFETにおける大きな電流変調量の観測 von 金木, 俊樹, 山崎, 浩樹, 小山, 知弘, 千葉, 大地, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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GaMnAsを用いた横型スピンMOSFET構造におけるスピン依存伝導 von 浅原, 弘勝, 金木, 俊樹, 寺田, 博, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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面内伝導スピンバルブトランジスタのスピン依存伝導と電流変調 von 金木, 俊樹, 小山, 知弘, 千葉, 大地, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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強磁性半導体GaMnAsにおけるテラヘルツ電界誘起のフランツケルディッシュ効果及び磁化変調 von 石井, 友章, 山川, 大路, 金木, 俊樹, 宮本, 辰也, 貴田, 徳明, 岡本, 博, 田中, 雅明, 大矢, 忍

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テラヘルツ磁場を用いた強磁性半導体GaMnAsの磁化の超高速制御 von 石井, 友章, 山川, 大路, 金木, 俊樹, 宮本, 辰也, 貴田, 徳明, 岡本, 博, 田中, 雅明, 大矢, 忍

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GaMnAsを用いた3端子磁気抵抗効果変調デバイスの作製とその特性評価 von 金木, 俊樹, 浅原, 弘勝, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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GaMnAsにおけるトンネル異方性磁気抵抗効果のエネルギー依存性 von 金木, 俊樹, 宗田, 伊理也, 大矢, 忍, 田中, 雅明

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Spin-dependent transport and current modulation in a current-in-plane spin-valve field-effect transistor von Kanaki, Toshiki, Koyama, Tomohiro, Chiba, Daichi, Ohya, Shinobu, Tanaka, Masaaki

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Identification of impurity band and valence band in GaMnAs by tunneling anisotropic magnetoresistance spectroscopy von Muneta, Iriya, Kanaki, Toshiki, Ohya, Shinobu, Tanaka, Masaaki

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