新幹線用コンクリート製電柱の地震被害とその対策 von 佐々木, 崇人, 野澤, 伸一郎, 築嶋, 大輔, 金子, 顕

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Depth profiles of electron and hole traps generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC von Kozakai, Shota, Fujii, Haruki, Kaneko, Mitsuaki, Kimoto, Tsunenobu

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PP511. ペチジンの追加はミダゾラムを用いた気管支鏡検査時の脱抑制を減らせるか? von 松本健, 金子顕子, 藤木貴宏, 日下部悠介, 中山絵美, 田中彩加, 山本直輝, 相原顕作, 山岡新八, 三嶋理晃

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PP165. 気管支喘息患者における1日だけの全身性ステロイド投与歴はその後のショートバーストの予測因子となり得るか? von 松本健, 金子顕子, 藤木貴宏, 日下部悠介, 中山絵美, 田中彩加, 山本直輝, 相原顕作, 田嶋繭子, 田嶋範之, 伊藤力, 山岡新八, 三嶋理晃

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Impact of the oxidation temperature on the density of single-photon sources formed at SiO2/SiC interface von Kaneko, Mitsuaki, Takashima, Hideaki, Shimazaki, Konosuke, Takeuchi, Shigeki, Kimoto, Tsunenobu

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相補型JFETによる高温動作IC設計に向けたSiC JFETのデバイスモデル構築 von 前田, 憲幸, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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金属/高濃度ドープSiCショットキー界面における電気伝導機構の解析 von 原, 征大, 田中, 一, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ 準位の変化 von 具, 燦淳, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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熱平衡状態における4H-SiCエピタキシャル層中シングルショックレー型積層欠陥の縮小運動 von Euihyeon, Do, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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高温動作SiC相補型JFET論理ゲートの論理閾値電圧の温度変化抑制に関する理論的検討 von 金子, 光顕, 中島, 誠志, 木本, 恒暢

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水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成 von 立木, 馨大, 金子, 光顕, 小林, 拓真, 木本, 恒暢

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Sイオン注入n型SiC層のHall効果測定によるSドナーの評価 von 松岡, 大雅, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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4H-SiCにおける電子移動度の異方性 von 石川, 諒弥, 原, 征大, 田中, 一, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面 の形成 von 立木, 馨大, 金子, 光顕, 小林, 拓真, 木本, 恒暢

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4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価 von 石川, 諒弥, 原, 征大, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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SEM・SCM測定によるSiC基板における注入イオンの横方向広がりの定量測定 von 金, 祺民, 中島, 誠志, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価 von 具, 燦淳, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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イオン注入により作製したSiCサイドゲートJFETにおける閾値電圧のチャネル厚依存性から求めた横方向チャネリング量 von 金, 祺民, 中島, 誠志, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究 von 中島, 誠志, 金, 祺民, 金子, 光顕, 木本, 恒暢

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高純度半絶縁性SiC基板上にイオン注入で作製したpinダイオードの評価 von 金子, 光顕, Alexander, Tsibizov, 木本, 恒暢, Ulrike, Grossner

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