放射光Ｘ線表面回折法による SiC 熱分解過程の表面構造変化の解明 von 吉田, 雅洋, 大和田, 謙二, 金子, 忠昭, 久津間, 保徳, 堂島, 大地, 青山, 拓志, 水木, 純一郎

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22pGQ-10 SiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 山本, 洋佑, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性) von 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算 von 西谷, 滋人, 竹田, 諒平, 石井, 英樹, 山本, 洋佑, 金子, 忠昭

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25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 戸賀瀬, 健介, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性) von 西谷, 滋人, 竹田, 諒平, 石井, 英樹, 金子, 忠昭

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21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長) von 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 坂本, 憲, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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電子線後方散乱回折法を用いたモザイクダイヤモンドの配向性評価 von 松下, 晃生, 松岡, 実李, 藤森, 直治, 堂島, 大地, 小出, 和典, 金子, 忠昭, 鹿田, 真一

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22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))... von 戸賀瀬, 健介, 寺井, 健太, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭, 大谷, 昇

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22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)) von 山本, 洋佑, 寺井, 健太, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭, 大谷, 昇

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22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)) von 石井, 英樹, 竹田, 諒平, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭, 大谷, 昇

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21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 石井, 英樹, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 竹田, 諒平, 西谷, 滋人, 金子, 忠昭

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電子線後方散乱回折法によるp+HPHTダイヤモンドの結晶性評価 von 松下, 晃生, 芦田, 晃嗣, 堂島, 大地, 土田, 有記, 金子, 忠昭, 鹿田, 真一

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AlN/SiC近接昇華ヘテロ成長における界面熱分解制御 von 伊藤, 聡司, 堂島, 大地, 芦田, 晃嗣, 佐藤, 一成, 山本, 喜之, 金子, 忠昭

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グラフェンナノリボンのTERSマッピング von 小川, 晃平, 鈴木, 利明, 上村, 奨平, 堂島, 大地, 金子, 忠昭, 尾崎, 幸洋, 日比野, 浩樹

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Si雰囲気アニール法によるSiCトレンチ構造形状制御 von 矢吹, 紀人, 鳥見, 聡, 野上, 暁, 金子, 忠昭, 北畠, 真

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グラフェンのキャリア緩和過程のフェムト秒近赤外過渡吸収分光と温度依存性 von 山田, 淳史, 久津間, 保徳, 金子, 忠昭, 玉井, 尚登

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Ag(111)表面上でのSi成長と超高真空ラマン分光法による評価 von 小川, 晃平, 鈴木, 利明, 上村, 奨平, 堂島, 大地, 中辻, 寛, 平山, 博之, 金子, 忠昭, 尾崎, 幸洋, 日比野, 浩樹

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