GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算 von 野町, 健太郎

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励起子分子のポピュレーション密度及び発光減衰時間の理論計算 von 大木, 健輔, 野町, 健太郎, 林, 伯金, 志村, 桐門, 馬, 蓓, 森田, 健, 石谷, 善博

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フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析（PXRモデル） von 石谷, 善博, 大木, 健輔, 野町, 健太郎, 馬, ベイ, 森田, 健

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GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析 von 大木, 健輔, 野町, 健太郎, 西川, 智秀, 馬, 蓓, 森田, 健, 石谷, 善博

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GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算 von 大木, 健輔, 野町, 健太郎, 馬, 蓓, 森田, 健, 石谷, 善博

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GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論解析 von 野町, 健太郎, 大木, 健輔, 馬, ベイ, 森田, 健, 石谷, 善博

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GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析 von 岩堀, 友洋, 野町, 健太郎, 大木, 健輔, 馬, 蓓, 森田, 健, 石谷, 善博

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