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3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(I) CH2P注入エピウェーハの注入レンジにおける水素脱離挙動の理論解析...
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次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察
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3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性(I) -炭化水素分子イオン注入ウェーハによるSiO2/Si界面準位欠陥の低減...
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高感度CMOSイメージセンサ向けシリコンウェーハの製品設計 -炭化水素分子イオン注入によるSiO2/Si界面準位の制御
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炭化水素分子イオン注入領域における銅ゲッタリングに対する3次元アトムプローブを用いた酸素の影響解析
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CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性(II) –CH4Nイオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性
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CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性(Ⅰ) -水素脱離挙動の反応速度論解析
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分子イオン注入エピウェーハの製品特性(4)-フラッシュランプ熱処理による注入欠陥の結晶性回復挙動解析
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