24aPS-117 第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長)) von 楠原, 秀昭, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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20aPS-2 GaN(0001) 結晶成長の第一原理計算と連動した動的モンテカルロシミュレーション開発 von 谷口, 允悠, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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22aYC-5 InAs/GaAs(001) 量子ドット形成の第一原理計算と動的モンテカルロシミュレーション von 藤原, 勝敏, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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31aZE-11 Si(001)-2x3-Ag 表面における STM シミュレーションの研究 von 小山, 聖史, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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20aPS-32 低温で見られる Si(001) 表面銀吸着構造の第一原理計算 von 楠原, 秀昭, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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6pPSB-2 SiC(0001)表面におけるN原子成長過程の解明(表面界面結晶成長,領域9) von 小山, 聖史, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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7aSN-10 第一原理計算によるGaN(0001)エピタキシャル成長の研究(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9) von 石井, 晃, 三宅, 大助, 逢坂, 豪

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6pPSB-3 動的モンテカルロ法を用いたSi(100)表面上のSi、Ge島崩壊シミュレーション(表面界面結晶成長,領域9) von 山添, 純平, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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6pPSB-38 第一原理分子動力学によるSi(001)-(2×3)-Ag表面の研究(表面界面結晶成長,領域9) von 小山, 聖史, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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第一原理計算によるGaN(0001)のエピタキシャル成長の研究 : 結晶成長理論シンポジウム von 石井, 晃, 三宅, 大助, 逢坂, 豪

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25aWD-6 動的モンテカルロ法を用いたSi(001)表面上のSi島とGe島の崩壊の比較(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))... von 石井, 晃, 富山, 治, 逢坂, 豪

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19pPSB-39 Si(001)-Ag表面の第一原理計算 von 小山, 聖史, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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19pPSB-4 閃亜鉛構造に基づくGaAs(001)のMBE動的モンテカルロシミュレーション von 塚大, 雅俊, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算 von 石井, 晃, 逢坂, 豪, 呉, 智元, 吉田, 正裕, 秋山, 英文

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GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III von 石井, 晃, 制野, かおり, 逢坂, 豪

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23pWA-12 GaAs(100)表面上におけるAS_2分子の表面ダイナミクスの第一原理計算 von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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30aPS-14 四面体要素を用いた有限要素法による第一原理計算法 von 三宅, 大助, 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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19pPSB-2 動的モンテカルロ法を用いたGaN(0001)表面のMBE成長シミュレーション von 石井, 晃, 塚大, 雅俊, 富山, 治, 逢坂, 豪

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19pPSA-11 2次元要素自動分割法を用いた有限要素法によるシュレディンガー方程式の精度検証 von 三宅, 大助, 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

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