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Temperature-dependent photoluminescence spectra of GaN epitaxial layer grown on Si(111) substrate
von
赵丹梅 赵德刚 江德生 刘宗顺 朱建军 陈平 刘炜 李翔 侍铭
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中国物理B:英文版
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Impact of GaN transition layers in the growth of GaN epitaxial layer on silicon
von
赵丹梅 赵德刚 江德生 刘宗顺 朱建军 陈平 刘炜 李翔 侍铭
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage
von
侍铭 陈平 赵德刚 江德生 郑军 成步文 朱建军 刘宗顺 刘炜 李翔 赵丹梅 王启明 刘建平 张书明 杨辉
Veröffentlicht in
Chinese physics B
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中国物理B:英文版
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Chinese Physics B
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Journal Of Semiconductors
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半导体学报:英文版
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Aluminum Nitride
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Gan
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Erscheinungsjahr
Von:
Bis:
Quelle
Iop Publishing Journals
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3
Institute Of Physics Iopscience Extra
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3
Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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