様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性 von 近藤, 孝明, 赤澤, 良彦, 岩田, 直高

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選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響 von 近藤, 孝明, 赤澤, 良彦, 岩田, 直高

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p型GaNゲートを用いたノーマリオフ動作AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ von 赤澤, 良彦, 近藤, 孝明, 吉川, 慎也, 岩田, 直高, 榊, 裕之

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HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積SiNx膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化 von 鈴木, 貴之, 土屋, 晃祐, 大保, 崇博, 赤澤, 良彦, 下野, 貴史, 松本, 滉太, 江口, 卓也, 岩田, 直高

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