Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS2 film by sulfurization even through Al2O3 passivation film simultaneously preventing oxidation von Hamada, Masaya, Matsuura, Kentaro, Sakamoto, Takuro, Tanigawa, Haruki, Muneta, Iriya, Hoshii, Takuya, Kakushima, Kuniyuki, Tsutsui, Kazuo, Wakabayashi, Hitoshi

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Self-aligned-TiSi2 bottom contact with APM cleaning and post-annealing for sputtered-MoS2 film von Igarashi, Satoshi, Mochizuki, Yusuke, Tanigawa, Haruki, Hamada, Masaya, Matsuura, Kentaro, Muneta, Iriya, Kakushima, Kuniyuki, Tsutsui, Kazuo, Wakabayashi, Hitoshi

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正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS2の蓄積容量特性 von 谷川, 晴紀, 松浦, 賢太朗, 宗田, 伊理也, 星井, 拓也, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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スパッタMoS2膜とTiSi2膜の界面におけるFGアニールによるコンタクト抵抗低減 von 五十嵐, 智, 望月, 祐輔, 谷川, 晴紀, 濱田, 昌也, 松浦, 賢太朗, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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Normally-off sputtered-MoS2 nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration von Matsuura, Kentaro, Hamada, Masaya, Hamada, Takuya, Tanigawa, Haruki, Sakamoto, Takuro, Hori, Atsushi, Muneta, Iriya, Kawanago, Takamasa, Kakushima, Kuniyuki, Tsutsui, Kazuo, Ogura, Atsushi, Wakabayashi, Hitoshi

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大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs von 松浦, 賢太朗, 濱田, 昌也, 濱田, 拓也, 谷川, 晴紀, 坂本, 拓朗, 堀, 敦, 宗田, 伊理也, 川那子, 高暢, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 小椋, 厚志, 若林, 整

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F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減 von 松浦, 賢太朗, 濱田, 昌也, 坂本, 拓朗, 谷川, 晴紀, 宗田, 伊理也, 石原, 聖也, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 小椋, 厚志, 若林, 整

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保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善 von 五十嵐, 智, 松浦, 賢太朗, 濱田, 昌也, 谷川, 晴紀, 坂本, 拓朗, 宗田, 伊理也, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去 von 谷川, 晴紀, 松浦, 賢太朗, 濱田, 昌也, 坂本, 拓朗, 宗田, 伊理也, 星井, 拓也, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS2膜の結晶性改善 von 濱田, 昌也, 松浦, 賢太郎, 谷川, 晴紀, 大橋, 匠, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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スパッタMoS2膜上ALD-Al2O3膜の成長過程観察 von 谷川, 晴紀, 大橋, 匠, 松浦, 賢太朗, 清水, 淳一, 外山, 真矢人, 早川, 直希, 宗田, 伊理也, 角嶋, 邦之, 筒井, 一生, 若林, 整

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Analytical Method for Prediction of Suction Performance of Ejector-Jet von TANI, Kouichiro, HASEGAWA, Susumu, UEDA, Shuichi, KANDA, Takeshi, NAGATA, Harunori

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