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    InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制

    InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制 von 许潮之, 蔡丽娥, 郑荣升, 赵铭杰, 孙栋, 程再军, 王元樟, 林海峰

    Veröffentlicht in 厦门理工学院学报

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