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    Improved Semipolar （1132） GaN Quality Grown on m-Plane Sapphire Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Self-Organized SiNx Interlayer

    Improved Semipolar （1132） GaN Quality Grown on m-Plane Sapphire Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Self-Organized SiNx Interlayer von 许晟瑞 赵颖 姜腾 张进成 李培咸 郝跃

    Veröffentlicht in 中国物理快报：英文版

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