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Growth of InA1GaN Quaternary Alloys by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Veröffentlicht in 中国物理快报:英文版
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AlGaN/GaN MIS-HEMT using NbAlO dielectric layer grown by atomic layer deposition
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Temperature dependences of Raman scattering in different types of GaN epilayers
Veröffentlicht in Chinese physics B
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