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    Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD

    Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD von 许志豪 张进成 段焕涛 张忠芬 朱庆玮 徐浩 郝跃

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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