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    4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystaUine silicon field plate termination

    4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystaUine silicon field plate termination von 袁昊 汤晓燕 张义门 张玉明 宋庆文 杨霏 吴昊

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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