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27aXQ-9 高周波加熱を利用した量子ホール領域での熱電効果の測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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27aXQ-12 量子ホール領域での電流による加熱とペルチェ冷却(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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18pFB-6 量子ホール領域におけるペルチェ効果の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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26pED-4 銅酸化物高温超伝導体Bi_2212の転移温度と超伝導ギャップの関係(銅酸化物2,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
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27pXJ-6 銅酸化物高温超伝導体Bi2212の繰り込み効果の波数およびホール濃度依存性(27pXJ 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))...
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26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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23aTL-7 量子ホール系における電流加熱時電子温度の空間分布と発生する熱起電力(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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25pHG-14 量子ホール領域における電流加熱時電子温度の空間分布の充填率依存性(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))...
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21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))...
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21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))...
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25pHG-15 電流加熱時の磁場中極低温2次元電子系の冷却効果(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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23aTL-3 ビスマスナノワイヤーの量子化磁場下での熱電特性の理論計算(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
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25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
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