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    High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCI and （NH4）2S surface passivation

    High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCI and （NH4）2S surface passivation von 薛百清 王盛凯 韩乐 常虎东 孙兵 赵威 刘洪刚

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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