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干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
von
蔡坤煌 张永 李成 赖虹凯 陈松岩
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Journal of semiconductors
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UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
von
周志文 蔡志猛 张永 蔡坤煌 周笔 林桂江 汪建元 李成 赖虹凯 陈松岩 余金中 王启明
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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锗硅弛豫缓冲层
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