HVPE-GaN(0001)基板にVickers圧入で生じた転位構造 von 石川, 由加里, 横江, 大作, 菅原, 義弘, 姚, 永昭

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HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造 von 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 横江, 大作, 姚, 永昭

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極小ピットの多層構造化による超低転位AlNテンプレートの作製 von 日高, 遼太, 奥野, 椋, 小脇, 岳土, 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 横江, 大作, 平山, 秀樹, 倉井, 聡, 岡田, 成仁, 山田, 陽一, 只友, 一行

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極性反転とパルスH2エッチングを利用したN極性面AlNの結晶成長 von 安高, 和哉, Lu, You, 松村, 航, 花咲, 光基, 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 横江, 大作, 倉井, 聡, 岡田, 成仁, 山田, 陽一, 只友, 一行

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反射および透過X線トポグラフィによるAlN単結晶の転位評価 von 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 石川, 由加里, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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PVT法AlN単結晶バルク基板の転位観察 von 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 石川, 由加里, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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放射光X線トポグラフィによるEFG法β-Ga2O3単結晶基板の転位評価 von 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 石川, 由加里, 高橋, 由美子, 平野, 馨一

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4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動 von 石川, 由加里, 須藤, 正喜, 菅原, 義弘, 姚, 永昭, 加藤, 正史, 三好, 実人, 江川, 孝志

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放射光X線トポグラフィによるPVT法AlN単結晶基板の転位評価 von 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 石川, 由加里, 岡田, 成仁, 井本, 良, 只友, 一行, 高橋, 由美子, 平野, 馨一

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GaN 自立基板上 pn ダイオードの逆方向リーク電流と 貫通螺旋転位周りに存在する Mg との関係 von 宇佐美, 茂佳, 田中, 敦之, 間山, 憲仁, 戸田, 一也, 菅原, 義弘, 姚, 永昭, 石川, 由加里, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 新田, 州吾, 本田, 善央, 天野, 浩

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放射光X線トポグラフィ、ラマンマッピングおよびエッチピット法によるAlNバルク単結晶の評価 von 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 岡田, 成仁, 井本, 良, 只友, 一行, 高橋, 由美子, 平野, 馨一

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4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動 von 石川, 由加里, 須藤, 正喜, 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 加藤, 正史

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放射光X線トポグラフィによるアモノサーマルGaNの貫通転位観察 von 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 高橋, 由美子, 平野, 馨一

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3DAP および LACBED 法による GaN 自立基板上 pn ダイオードのリークの起源調査 von 宇佐美, 茂佳, 菅原, 義弘, 姚, 永昭, 石川, 由加里, 間山, 憲仁, 戸田, 一也, 安藤, 悠人, 田中, 敦之, 永松, 謙太郎, 久志本, 真希, 出来, 真斗, 新田, 州吾, 本田, 善央, 天野, 浩

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A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察 von 須藤, 正喜, 姚, 永昭, 菅原, 義弘, 石川, 由加里, 加藤, 正史

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エッチピット法によるHVPE-GaNの転位検出と分類 von 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 横江, 大作, 須藤, 正喜, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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BaZrO3バッファー層によるMgO基板上SmBa2Cu3Oy膜の面内配向性向上機構 von 長谷川, 勝哉, 和泉, 輝郎, 塩原, 融, 菅原, 義弘, 平山, 司, 大場, 史康, 幾原, 雄一

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m{1-100}面KOHエッチング及びカソードルミネセンスによる4H-SiC単結晶積層欠陥の評価 von 姚, 永昭, 石川, 由加里, 菅原, 義弘, 佐藤, 功二, 白井, 嵩幸, 旦野, 克典, 坂元, 秀光, 佐藤, 和明, 別所, 毅, ベンジャミン, ディエレ, 渡辺, 健太郎, 関口, 隆史

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酸化物超電導薄膜の界面構造の研究 von 幾原, 雄一, 菅原, 義弘

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液相エピタキシー法で作製したYBCO膜の界面構造と格子ミスフィット von 菅原, 義弘, 幾原, 雄一, 北村, 祐, 平林, 泉

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