26pWH-9 a-Si:Hにおける電子正孔の輻射再結合率の温度変化(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在) von 干, 暁, 荻原, 千聡

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22pTL-1 a-Si : H 膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンス von 荻原, 千聡

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23aXJ-1 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(I)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 原田, 潤一, 中西, 研二, 于, 暁, 荻原, 千聡

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23aXJ-2 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(II)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 中西, 研二, 原田, 潤一, 于, 暁, 荻原, 千聡

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29aZK-4 a-Si : H 系膜における低エネルギールミネッセンスの周波数分解分光 von 荻原, 千聡, 吉村, 泰一

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27aYT-7 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの強度の温度変化と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))... von 山本, 尚史, 中村, 健二, 中西, 研二, 荻原, 千聡

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27aXC-5 a-Si:Hにおける発光欠陥に関連したフォトルミネッセンスと光誘起現象(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 荻原, 千聡, 于, 暁, 中西, 研二, 原田, 潤一, 野見山, 智宏, 山本, 尚史

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6pSB-9 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(II)(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4) von 吉村, 泰一, 荻原, 千聡

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27aYG-5 a-Si:H膜の低エネルギールミネセンスの温度変化(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4) von 荻原, 千聡, 山本, 尚史, 野見山, 智宏

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27aYT-8 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの寿命分布と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))... von 野見山, 智宏, 山尾, 正之, 原田, 潤一, 于, 暁, 荻原, 千聡

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12aYB-3 a-Si : H 膜のルミネッセンスの温度変化と光誘起欠陥生成(低対称系・格子欠陥, 領域 4) von 荻原, 千聡, 山本, 尚史, 野見山, 智宏, 中村, 健二, 山尾, 正之

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25pWE-7 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))... von 吉村, 泰一, 竹村, 仁志, 荻原, 千聡, 森垣, 和失

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20aYJ-9 a-Si:H膜におけるパルス光照射による光誘起欠陥生成とフォトルミネッセンス von 吉村, 泰一, 竹村, 仁志, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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25pL-3 a-Si:H系薄膜における光誘起構造変化による発光寿命分布の変化 von 竹村, 仁志, 相原, 克司, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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28pTC-3 a-Si:H 系膜におけるサブバンドギャップパルス光照射に伴うダングリングボンド生成 von 荻原, 千聡, 吉村, 泰一, 瀬戸, 康彰, 竹村, 仁志, 森垣, 和夫

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28pTC-2 a-si:H系薄膜における光照射による発光寿命分布の変化 von 竹村, 仁志, 吉村, 泰一, 瀬戸, 康影, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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27aC-4 a-Si:H系薄膜における光照射後のフォトルミネセンスの寿命分布 von 竹村, 仁志, 相原, 克司, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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29p-ZF-1 ナノ構造a-Si:H系薄膜における発光寿命分布の励起光波長依存性 von 竹村, 仁志, 奥川, 政裕, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR von 森垣, 和夫, 荻原, 千聡, 山口, 政晃

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25aSA-12 a-si:H系薄膜におけるサブバンドギャップ光照射後の発光寿命分布 von 竹村, 仁志, 吉村, 泰一, 瀬戸, 康彰, 荻原, 千聡, 森垣, 和夫

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