21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))... von 照井, 大輔, 山崎, 貴司, 草部, 一秀, 大川, 和宏, 橋本, 巌

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デジタル混晶SMART (InN)1/(GaN)4の低NH3分圧MOVPEプロセス von 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 照井, 大輔, 山崎, 貴司, 草部, 一秀, 倉持, 幸治, 大川, 和宏, 橋本, 厳

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24aZD-11 電子顕微鏡を用いたa-plane GaN/InGaNの極性に関する構造評価(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))... von 倉持, 幸治, 山崎, 貴司, 草部, 一秀, 大川, 和宏, 橋本, 巖

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格子緩和InGaN上の高In組成(InN)m/(GaN)n短周期超格子 von 王, 科, 草部, 一秀, 今井, 大地, 吉川, 明彦

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(InN)1/(GaN)4 短周期超格子の擬似混晶化 von 今井, 大地, 草部, 一秀, 王, 科, 吉川, 明彦

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GaN基板上SMART太陽電池の接合特性評価 von 草部, 一秀, 橋本, 直樹, 吉川, 明彦

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(InN)1/(GaN)n短周期超格子SMART構造の光物性 von 今井, 大地, 草部, 一秀, 王, 科, 吉川, 明彦

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MOVPE-SMART太陽電池での実効In組成制御の検討 von 草部, 一秀, 今井, 大地, 王, 科, 吉川, 明彦

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20aYN-3 Epitaxial a-plane InGaN/GaNの電子顕微鏡観察(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))... von 中西, 伸登, 草部, 一秀, 山崎, 貴司, 大川, 和宏, 橋本, 巌

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分光エリプソメトリによるSMART太陽電池MOVPEプロセス開拓 von 草部, 一秀, 王, 科, 橋本, 直樹, 吉川, 明彦

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RF-MBE成長SMART太陽電池の接合特性改善 von 王, 科, 草部, 一秀, 橋本, 直樹, 吉川, 明彦

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InGaNベースタンデム太陽電池の理論解析 von 橋本, 直樹, 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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InNの局所的格子温度上昇による非輻射再結合活性化過程 von 今井, 大地, 石谷, 善博, 王, 新強, 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性 von 今井, 大地, 石谷, 善博, 王, 新強, 草部, 一秀, 吉川, 明彦, 森田, 健, 馬, ベイ

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SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (6) - (InN)m/(GaN)n短周期超格子バンドエンジニアリング von 草部, 一秀, 石谷, 善博, 吉川, 明彦

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InNのキャリア再結合過程における局所的電子-格子ダイナミクスの影響 von 今井, 大地, 石谷, 善博, 王, 新強, 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測 von 今井, 大地, 森田, 健, 塚原, 捷生, 石谷, 善博, 馬, ベイ, 王, 新強, 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (1) - 短周期超格子／超構造マジック疑似混晶によるアプローチ von 草部, 一秀, 石谷, 善博, 吉川, 明彦

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窒化物エピタキシャル層評価における中赤外域表面・界面モードの利用 von 増田, 祥太郎, 石谷, 善博, 草部, 一秀, 吉川, 明彦

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