MOVPE法で作製したInAs /GaSb超格子の中赤外発光特性の層厚依存性 von 前田, 幸治, 若城, 玲亮, 山形, 勇也, 荒井, 昌和

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MOVPE法によるInAs/GaSb超格子成長時の異種V族混入量の推定 von 今村, 優希, 山形, 勇也, 中山, 優希, 若城, 玲亮, 前田, 幸治, 荒井, 昌和

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AlGaInP系多層膜反射鏡を用いた光無線給電用受光デバイスの成長検討 von 荒井, 昌和, 坪山, 真之介, 日和田, 健介, 若城, 玲亮, 前田, 幸治

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AlGaInPを用いた光無線給電用単色光受光デバイスの検討 von 日和田, 健介, 坪山, 真之介, 若城, 玲亮, 前田, 幸治, 荒井, 昌和

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MOVPE法で作製した層厚の異なるInAs/GaAsSb超格子の光学特性評価 von 若城, 玲亮, 井上, 裕貴, 高橋, 翔, 前田, 幸治, 荒井, 昌和

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MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長および波長3ミクロン帯活性層構造の検討 von 山形, 勇也, 吉元, 圭太, 井上, 裕貴, 若城, 玲亮, 前田, 幸治, 荒井, 昌和

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中赤外光センシングデバイスに向けた InAs 基板上格子整合 InAs/GaAsSb Type-Ⅱ超格子の MOVPE 成長 von 高橋, 翔, 藤原, 由生, 山形, 勇也, 吉本, 圭太, 井上, 裕貴, 若城, 玲亮, 前田, 幸治, 荒井, 昌和

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