Post-5Gに向けた高周波GaN-HEMTの開発動向 von 舘野, 泰範

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グラフェン高周波トランジスタの開発状況と課題 von 舘野, 泰範, 三橋, 史典, 足立, 真寛, 山本, 喜之, 中田, 健

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オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究 von 大美賀, 圭一, 舘野, 泰範, 河内, 剛志, 駒谷, 務, 永村, 直佳, 今野, 隼, 高橋, 良暢, 小嗣, 真人, 堀場, 弘司, 尾嶋, 正治, 末光, 眞希, 吹留, 博一

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高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価 von 須藤, 亮太, 舘野, 泰範, 吹留, 博一, 末光, 眞希

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オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明 von 大美賀, 圭一, 舘野, 泰範, 河内, 剛志, 駒谷, 務, 永村, 直佳, 今野, 隼, 高橋, 良暢, 小嗣, 真人, 堀場, 弘司, 尾嶋, 正治, 末光, 眞希, 吹留, 博一

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ドレインコンダクタンス低減を企図したDual-gate エピ・グラフェンFETのオペランド顕微光電子分光を用いた動作機構解明（I） von 齋藤, 和馬, 岡田, 政也, 三橋, 史典, 舘野, 泰範, 河内, 剛志, 永村, 直佳, 今野, 隼, 高橋, 良暢, 小嗣, 真人, 堀場, 弘司, 末光, 眞希, 尾嶋, 正治, 吹留, 博一

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Yゲートプロセスで作製した150nm InAlN/GaN HEMT von 市川, 弘之, 水江, 千帆子, 眞壁, 勇夫, 舘野, 泰範, 中田, 健, 井上, 和孝

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マイクロビームXAFSによる窒化ガリウム系電子デバイスの界面状態解析 von 舘野, 泰範, 飯原, 順次, 米村, 卓巳, 富永, 愛子, 斎藤, 吉広, 河内, 剛志, 辻, 幸洋, 大沢, 仁志, 宇留賀, 朋哉

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i線ステッパによるGaN HEMT微細ゲートプロセス von 市川, 弘之, 水江, 千帆子, 眞壁, 勇夫, 舘野, 泰範, 中田, 健, 井上, 和孝

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AlGaN/GaN HEMTの表面制御によるコラプス改善 von 荒谷, 毅, 駒谷, 務, 石井, 和明, 舘野, 泰範

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硬X線光電子分光法によるAlGaN/GaN HEMTの表面状態解析 von 荒谷, 毅, 駒谷, 務, 河内, 剛志, 斎藤, 吉広, 和田, 淳, 舘野, 泰範

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