STT-MRAMに続く新規スピントロ二クスメモリSOT-MRAM、VoCSMとそのIn-memory computing への応用 von 與田, 博明, 大沢, 裕一, 加藤, 侑志, 與田, 朋美

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電圧制御型スピントロ二クスメモリを用いたバイナリニューラルネットワーク用不揮発性論理素子 von 與田, 博明, 薬師寺, 啓, 福島, 章雄

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超省電力スピントロニクスデバイスの開発：安全・安心・持続可能な高度知的エコ社会の実現に向けて von 佐橋, 政司, 遠藤, 哲郎, 湯浅, 新治, 與田, 博明, 藤田, 忍, 深見, 俊輔, 大野, 英男

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垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望 von 中山 昌彦, 甲斐 正, 相川 尚徳

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電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) von ブヤンダライ アルタンサルガイ, 與田 博明, 井口 智明, 大沢 裕一, 下村 尚治, 白鳥 聡志, 杉山 英行, 加藤 侑志, 上口 裕三, 清水 真理子, 鴻井 克彦, 及川 壮一, 石川 瑞恵, テイワリ アジヤイ, 池上 一隆, 斉藤 好昭, 黒部 篤

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スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 von 伊藤 順一, 與田 博明, 藤田 忍

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低バリア高さを有する強磁性トンネル接合用バリア材料の開発：MgGa2O4スピネル酸化物 von 介川, 裕章, 加藤, 侑志, Mohamed, Belmoubarik, P.-H., Cheng, 大坊, 忠臣, 下村, 尚治, 上口, 裕三, 伊藤, 順一, 與田, 博明, 大久保, 忠勝, 三谷, 誠司, 宝野, 和博

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電圧制御型スピントロニクスメモリ（ＶｏＣＳＭ） von 清水, 真理子, 與田, 博明, 井口, 智明, 大沢, 裕一, 下村, 尚治, 白鳥, 聡志, 杉山, 英行, 加藤, 侑志, 上口, 裕三, ブヤンダライ, アルタンサルガイ, 鴻井, 克彦, 及川, 壮一, 石川, 瑞恵, テイワリ, アジヤイ, 池上, 一隆, 斉藤, 好昭, 黒部, 篤

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ハイブリッドMagneticキャッシュメモリによるノーマリオフプロセッサ von 安部, 恵子, 野村, 久美子, 與田, 博明, 藤田, 忍

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MgO電子ビーム蒸着法による垂直磁化型MTJの高MR化 von 小野, 和人, 長谷川, 直努, 與田, 博明, 甲斐, 正, 永瀬, 俊彦, 伊藤, 順一

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垂直磁化GMR素子の熱活性およびダイナミック領域におけるスピン注入磁化反転確率 von 山下, 真司, 冨田, 博之, 三輪, 真嗣, 野崎, 隆行, 長瀬, 俊彦, 西山, 勝哉, 北川, 英二, 吉川, 将寿, 大坊, 忠臣, 長嶺, 真, 岸, 達也, 池川, 純夫, 下村, 尚治, 與田, 博明, 鈴木, 義茂

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超低消費電力プロセッサ用6T-2MTJ型不揮発キャッシュ von 安部, 恵子, 野村, 久美子, 池川, 純夫, 岸, 達也, 與田, 博明, 藤田, 忍

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面内および垂直磁化磁気抵抗素子のスピン注入による高速磁化反転 von 冨田, 博之, 鈴木, 義茂, 野崎, 隆行, 福島, 章雄, 久保田, 均, 薬師寺, 啓, 湯浅, 新治, 長瀬, 俊彦, 北川, 英二, 大坊, 忠臣, 長嶺, 真, 池川, 純夫, 下村, 尚治, 與田, 博明

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垂直磁化GMR素子の高速スピン注入磁化反転 von 冨田, 博之, 野崎, 隆行, 関, 剛斎, 永瀬, 俊彦, 西山, 勝哉, 北川, 英二, 吉川, 将寿, 大坊, 忠臣, 長嶺, 真, 岸, 達也, 池川, 純夫, 下村, 尚治, 與田, 博明, 鈴木, 義茂

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ギガビット級大容量MRAM技術 von 與田, 博明, 岸, 達也, 永瀬, 俊彦, 吉川, 将寿, 北川, 英二, 大坊, 忠臣, 西山, 勝哉, 甲斐, 正, 中山, 昌彦, 相川, 尚徳, 下村, 尚治, 天野, 実, 高橋, 茂樹, 池川, 純夫, 柳, 暁志, 長嶺, 真, 小瀬木, 淳一, 薬師寺, 啓, 湯浅, 新治, 鈴木, 義茂, 水上, 成美, 仲谷, 栄伸, 安藤, 康夫, 大兼, 幹彦, 宮崎, 照宣, 安藤, 功兒

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