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    高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

    高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理 von 胡强 卢铁城 敦少博 张松宝 唐彬 代君龙 朱莎 王鲁闽

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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