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Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices
von
刘天奇 耿超 张战刚 赵发展 古松 童腾 习凯 刘刚 韩郑生 侯明东 刘杰
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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Modeling and assessing the influence of linear energy transfer on multiple bit upset susceptibility
von
耿超 刘杰 习凯 张战刚 古松 刘天奇
Veröffentlicht in
Chinese physics B
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Large energy-loss straggling of swift heavy ions in ultra-thin active silicon layers
von
张战刚 刘杰 候明东 孙友梅 赵发展 刘刚 韩郑生 耿超 刘建德 习凯 段敬来 姚会军 莫丹 罗捷 古松 刘天奇
Veröffentlicht in
Chinese physics B
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Iop Publishing Journals
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Iopscience Extra
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Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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