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    Enhancement of Breakdown Voltage in A1GaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Buried p-Type Layers

    Enhancement of Breakdown Voltage in A1GaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Buried p-Type Layers von 罗俊 赵胜雷 林志宇 张进成 马晓华 郝跃

    Veröffentlicht in 中国物理快报：英文版

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