局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn 細線の 受光・発光特性 von 志村, 考功, 細井, 卓治, 小林, 拓真, 渡部, 平司

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熱酸化SiO2/SiC界面原子構造と界面電気特性の評価 von 渡部, 平司, 細井, 卓治

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コースティックネットワーク開口を用いた後方散乱X線イメージング von 志村, 考功, 宗森, 美琴, 細井, 卓治, 渡部, 平司

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石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討 von 田淵, 直人, 國吉, 望月, 細井, 卓治, 小林, 拓真, 志村, 考功, 渡部, 平司

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フレネルゾーン開口を用いた後方散乱X線イメージングの検討 von 志村, 考功, 細井, 卓治, 渡部, 平司

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液相成長法により形成したGeSn細線の結晶欠陥が発光効率に与える影響 von 志村, 考功, 和田, 祐希, 細井, 卓治, 渡部, 平司

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SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価 von 中沼, 貴澄, 岩片, 悠, 小林, 拓真, 染谷, 満, 岡本, 光央, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討 von 溝端, 秀聡, 和田, 悠平, 野崎, 幹人, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化 von 國吉, 望月, 田淵, 直人, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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超高温プロセスで作製した4H-SiC(0001) pMOSFETの高温特性とCMOS応用 von Kidist, Moges, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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高品質単結晶GeSn細線を用いた横型PINダイオードの作製とその発光特性評価 von 志村, 考功, 和田, 祐希, 細井, 卓治, 渡部, 平司

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超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価 von 和田, 悠平, 溝端, 秀聡, 野﨑, 幹人, 小林, 拓真, 細井, 卓治, 櫻井, 秀樹, 加地, 徹, 吉越, 章隆, 志村, 考功, 渡部, 平司

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NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価 von 中沼, 貴澄, 岩片, 悠, 小林, 拓真, 染谷, 満, 岡本, 光央, 吉越, 章隆, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価 von 和田, 悠平, 溝端, 秀聡, 野﨑, 幹人, 小林, 拓真, 細井, 卓治, 櫻井, 秀樹, 加地, 徹, 志村, 考功, 渡部, 平司

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GaN(000\overline{1})面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価 von 冨ケ原, 一樹, 和田, 悠平, 溝端, 秀聡, 野崎, 幹人, 吉越, 章隆, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成のアニール温度依存性 von 溝端, 秀聡, 和田, 悠平, 野﨑, 幹人, 細井, 卓治, 志村, 考功, 渡部, 平司

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陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO2膜の空隙の検出 von 上殿, 明良, 上野, 航, 細井, 卓治, Werner, Egger, Christoph, Hugenschmidt, Marcel, Dickmann, 渡部, 平司

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p-GaN MIS電気特性評価に向けたAlGaNバリア層の検討 von 和田, 悠平, 溝端, 秀聡, 野崎, 幹人, 細井, 卓治, 加地, 徹, 志村, 考功, 渡部, 平司

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陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出 von 上殿, 明良, 上野, 航, 細井, 卓治, W., Egger, T, Koschine, C., Hugenschmidt, M., Dickmann, 渡部, 平司

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CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討 von 細井, 卓治, 大迫, 桃恵, 志村, 考功, 渡部, 平司

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