19aAR-2 Si(111)-(7×7)表面のAg吸着ポテンシャルII : STM観察 von 梶田, 智宏, 永田, 龍太郎, 堀井, 広幸, 芳賀, 健也, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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21aAB-5 Si(111)-(7×7)表面のAg吸着ポテンシャル : STM観察 von 梶田, 智宏, 堀井, 広幸, 芳賀, 健也, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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22pYJ-1 はじめに:精密1nm構造に実現可能な物質機能の科学(領域9,領域7合同シンポジウム 主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)... von 粕谷, 厚生

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19aFE-2 Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))... von 鈴木, 貴幸, 生田目, 謙, 堀井, 広幸, 芳賀, 健也, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 松下, ステファン悠, 松井, 一記, 加藤, 大樹, 田岡, 琢己, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 新村, 紘和, 瀧川, 知昭, 加藤, 大樹, 松下, ステファン悠, 山田, 太郎, 川添, 良幸, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))... von 堀井, 広幸, 芳賀, 健也, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 松下, ステファン悠, 松井, 一記, 加藤, 大樹, 中矢, 博樹, 高田, 弘樹, 田岡, 琢己, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長)) von 堀井, 広幸, 芳賀, 健也, 生田目, 謙, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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26pPSB-30 構成原子数まで揃った1nm-CdSeナノ粒子の成長に伴う発光強度の顕著な増大(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)... von 野田, 泰斗, 粕谷, 厚生, 武田, 和行, 前川, 英己

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27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 加藤, 大樹, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 松井, 一記, 加藤, 大樹, 中矢, 博樹, 松下, ステファン悠, 高田, 弘樹, 田岡, 琢巳, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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29pTE-6 NMRを用いた1nm台(CdSe)_nナノ粒子の異なるnに対する構造解析(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 野田, 泰斗, 山同, 精一朗, 粕谷, 厚生, 前川, 英己

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25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長) von 加藤, 大樹, 瀧川, 知昭, 中矢, 博樹, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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18pFN-3 Initial oxidation process of H-terminated Si(111)-(1×1) surface von Niimura, H., Takikawa, C., Kato, D., Matsushita, S. Y., Yamada, T., Murugan, P., Kawazoe, Y., Kasuya, A., Suto, S.

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22pPSB-31 第一原理による(CdSe)_ クラスターの光吸収スペクトル計算(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 長岡, 桃子, 石井, 聡, 野口, 良史, 粕谷, 厚生, 大野, かおる

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21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 瀧川, 知昭, 中矢, 博樹, 山田, 太郎, 粕谷, 厚生, 須藤, 彰三

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22aXB-6 単一表面サイトからなる中空な(CdSe)_nナノ粒子(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 野田, 泰斗, 山同, 精一朗, 粕谷, 厚生, 前川, 英己

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20pTG-3 Si結晶電極による水素発生過程の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長) von 須田, 茂之, 伊藤, 隆史, 粕谷, 厚生

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20pTG-8 NMRによる(CdSe)_ 粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長) von 野田, 泰斗, 前川, 英己, 粕谷, 厚生

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