電子線超音波顕微鏡の基礎と転位線観察への応用 von 竹野下, 寛

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PG6 0.8μmルールで製作されたMOS-LSI試料の非破壊内部観察(ポスターセッション1) von 竹野下, 寛

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A-5 電子線超音波顕微鏡による積層欠陥(OSF)の観察(A.超音波非破壊評価) von 竹野下, 寛

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C4 半導体素子からのEA信号と動作状態電位分布(超音波非破壊評価) von 竹野下, 寛

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13p-PSB-9 半導体素子の非破壊・内部観察と動作状態電位分布 von 竹野下, 寛

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27a-ZN-10 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 II : 電子線超音波顕微鏡 von 竹野下, 寛

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C1 2位相EA信号を用いた電子線超音波像の深さ方向の研究 von 竹野下, 寛

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24a-T-12 Siトランジスタ・チップのベース層内転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡 von 竹野下, 寛

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2PJ-8 バイアス電圧を印加したTr素子の非破壊プロファイル : 電子線超音波顕微鏡(光音響,ポスターセッション(概要講演)) von 竹野下, 寛

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4a-Z-8 Al電極下のベース層内の転位線の非破壊内部観察 : 電子線超音波顕微鏡 von 竹野下, 寛

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31p-PS-1 バイアスを印加したSiトランジスタ・チップからの電子線励起超音波信号の発生場所 von 竹野下, 寛

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E-10 電子線超音波顕微鏡によるSi Tr-Chipの拡散層の検出(超音波顕微鏡) von 竹野下, 寛

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31a-PS-5 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト(音波物性・音響ポスターセッション) von 竹野下, 寛

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5p-PS-5 電子線超音波顕微鏡(EAM)を用いたTr-Chipの拡散層の観察 von 竹野下, 寛

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E-8 電子線超音波顕微鏡像のコントラスト : バイアスを印加したSi・Tr-chipの場合(顕微鏡・光音響) von 竹野下, 寛

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F-4 電子線超音波顕微鏡によるn・p・n Si-Trのベース領域の転位線(超音波顕微鏡・非破壊検査) von 竹野下, 寛

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31p-PS-17 バイアス印加状態のSi-Trの電子線超音波顕微鏡像(音波物性・音響ポスターセッション) von 竹野下, 寛

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PA-6 電子線超音波顕微鏡の解像度向上への試み(P.ポスターセッションA-概要講演・展示) von 竹野下, 寛, 小林, 睦生

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F1 シリコン・トランジスタ素子の非破壊・内部観察(超音波非破壊評価) von 竹野下, 寛, 田淵, 正行

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1-B-2 断続電子線励起によるSi Tr-Chipの接合からの超音波信号の発生位置(B.音波物性) von 竹野下, 寛, 小林, 陸生

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