イオン注入されたアモルファスInGaZnO膜の抵抗値熱安定性 von 安田, 圭佑, 宇井, 利昌, 立道, 潤一

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水素イオン注入援用によるシリコンにイオン注入したボロン原子の低温活性化 von 永尾, 友一, 井内, 裕, 立道, 潤一, 安田, 圭佑, 上原, 拓磨, 蓮見, 真彦, 鮫島, 俊之

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イオン注入により形成されたPN接合のフォトキャリア減衰特性 von 吉冨, 真也, 神田, 康, 加藤, 航, 蓮見, 真彦, 鮫島, 俊之, 立道, 潤一, 井内, 裕, 内藤, 勝男

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レーザ急速加熱によるシリコン中の埋め込みボイド層形成 von 神田, 康, 加藤, 航, 蓮見, 真彦, 鮫島, 俊之, 立道, 潤一, 井内, 裕, 内藤, 勝男

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Activation of Boron Atoms implanted in Sillicon at a low temperature von Sekiguchi, Erika, Nagao, Tomokazu, Hasumi, Masahiko, Inouchi, Yutaka, Tatemichi, Junichi, Sameshima, Toshiyuki

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