半極性｛2021｝面GaN基板上緑色レーザーの開発 von 塩谷, 陽平, 善積, 祐介, 京野, 孝史, 足立, 真寛, 住友, 隆道, 徳山, 慎司, 秋田, 勝史, 池上, 隆俊, 上野, 昌紀, 片山, 浩二, 中村, 孝夫

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Structural and electrical properties of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy for midwavelength infrared detectors von Arikata, Suguru, Kyono, Takashi, Miura, Kouhei, Balasekaran, Sundararajan, Inada, Hiroshi, Iguchi, Yasuhiro, Sakai, Michito, Katayama, Haruyoshi, Kimata, Masafumi, Akita, Katsushi

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窒化物４元混晶を用いた高効率紫外LED von 平山, 秀樹, 京野, 孝史, 秋田, 勝史, 中村, 孝夫, 石橋, 幸治

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InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化 von 平山, 秀樹, 秋田, 勝史, 京野, 孝史, 中村, 孝夫, 青柳, 克信

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有機金属気相成長法によるInAs/GaSb TypeII超格子の成長 von 有方, 卓, 京野, 孝史, 藤井, 慧, 三浦, 広平, 秋田, 勝史

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AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTエピ von 橋本, 信, 秋田, 勝史, 山本, 喜之, 矢船, 憲成, 作野, 圭一, 徳田, 博邦, 葛原, 正明, 竹田, 健一郎, 岩谷, 素顕, 天野, 浩

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「論文賞受賞記念講演」531nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} Free-Standing GaN Substrates von 塩谷, 陽平, 善積, 祐介, 京野, 孝史, 秋田, 勝史, 上野, 昌紀, 足立, 真寛, 住友, 隆道, 徳山, 慎司, 池上, 隆俊, 片山, 浩二, 中村, 孝夫

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14a-DL-7 MOSリニアセンサを用いた高分解能X線分光装置の開発 von 秋田, 勝史, 大沢, 大輔, 山口, 耕一郎, 大野, 吉三, 中松, 博英, 片野, 林太郎, 伊藤, 嘉昭, 五十棲, 泰人, 向山, 毅, 近藤, 克己, 金子, 博, 浅井, 仁, 庄司, 孝

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Optical properties of InGaAs/GaAsSb Type-II quantum-well light-emitting diodes von Sundararajan, Balasekaran

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