デバイス基板転写SiC単結晶薄膜を用いた高性能グラフェン・トランジスタ von 吹留, 博一, 秋山, 昌次, 田島, 圭一郎, 舩窪, 一智, 小濱, 路生, 小西, 繁, 茂木, 弘, 川合, 信, 久保田, 芳宏, 堀場, 弘司, 組頭, 広志, 渡邊, 一世

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酸化イットリウム絶縁膜を用いた高性能エピタキシャルグラフェンデバイス von 諏訪, 健斗, 遠藤, 則史, 秋山, 昌次, 田島, 圭一郎, 末光, 眞希, 小西, 繁, 茂木, 弘, 川合, 信, 久保田, 芳宏, 堀場, 弘司, 組頭, 広志, 吹留, 博一

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ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェンデバイス応用 von 遠藤, 則史, 秋山, 昌次, 田島, 圭一郎, 末光, 眞希, 小西, 繁, 茂木, 弘, 川合, 信, 久保田, 芳宏, 堀場, 弘司, 組頭, 広志, 吹留, 博一

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ハイブリッドSiC基板を用いたSi終端SiC単結晶薄膜上高品質グラフェン成長 von 遠藤, 則史, 秋山, 昌次, 田島, 圭一郎, 末光, 眞希, 小西, 繁, 茂木, 弘, 川合, 信, 久保田, 芳宏, 堀場, 弘司, 組頭, 広志, 吹留, 博一

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SiC単結晶薄膜ハイブリッドデバイス基板による高品質グラフェン成長 von 吹留, 博一, 秋山, 昌次, 田島, 圭一郎, 舩窪, 一智, 末光, 眞希, 小西, 繁, 茂木, 弘, 川合, 信, 久保田, 芳宏, 堀場, 弘司, 組頭, 広志

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貼り合わせハイブリッド基板とその応用 von 久保田, 芳宏, 飛坂, 優二, 秋山, 昌次, 諏訪, 剛史, 永田, 和寿, 小西, 繁, 川合, 信

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SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III von 羽深, 等, 秋山, 昌次, 大塚, 徹, 島田, 学, 奥山, 喜久夫

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