マスタリング・イーサリアム ―スマートコントラクトとDAppの構築 von Andreas M. Antonopoulos, Gavin Wood, 三津澤 サルバドール将司, 中城 元臣, 山口 和輝, 落合 庸介, 土屋 春樹, 小林 泰男, 鳩貝 淳一郎, 落合 渉悟, 平山 翔, 祢津 誠晃, 宇野 雅晴

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Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor von Zhang, Wenlun, Netsu, Seiko, Kanazawa, Toru, Amemiya, Tomohiro, Miyamoto, Yasuyuki

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Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors von NETSU, Seiko, KANAZAWA, Toru, UWANNO, Teerayut, AMEMIYA, Tomohiro, NAGASHIO, Kosuke, MIYAMOTO, Yasuyuki

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埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET von 張, 文倫, 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 宮本, 恭幸

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HfS2/MoS2 ヘテロジャンクションの温度依存電流特性 von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 宮本, 恭幸

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HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション von 金澤, 徹, 雨宮, 智宏, 祢津, 誠晃, Vikrant, Upadhyaya, 福田, 浩一, 宮本, 恭幸

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HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性 von 大澤, 一斗, 野口, 真司, 祢津, 誠晃, 木瀬, 信和, 宮本, 恭幸

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Type II 型 HfS2/MoS2ヘテロジャンクションを有するTFET von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, ウパディヤヤ, ヴィクラント, ウワンノー, ティーラユット, 雨宮, 智宏, 長汐, 晃輔, 宮本, 恭幸

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HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As界面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究 von 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 宮本, 恭幸

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A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs von Netsu, Seiko, Hellenbrand, Markus, Zota, Cezar B., Miyamoto, Yasuyuki, Lind, Erik

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再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作 von 木下, 治紀, 木瀬, 信和, 祢津, 誠晃, 金澤, 徹, 宮本, 恭幸

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再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究 von 木下, 治紀, 金澤, 徹, 祢津, 誠晃, 三嶋, 裕一, 宮本, 恭幸

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