1J1-3 光ヘテロダイン光熱変位法を用いた熱物性の非破壊・非接触評価技術の開発 von 原田, 知季, 安良田, 裕基, 森田, 浩右, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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非発光再結合検出による量子ナノ構造太陽電池材料評価(<特集>ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池) von 福山, 敦彦, 杉山, 正和, 中野, 義昭, 碇, 哲雄

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集光照射下でのキャリア輸送過程がSiの移動度減少に及ぼす影響 von 山下, 匡祐, 原田, 知季, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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3J5-2 多層構造体の光熱変換信号理論の検討とSiナノピラー/SiGe複合膜への適用 von 安良田, 裕基, 原田, 知季, 大堀, 大介, 寒川, 誠二, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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InGaAs/GaAsP波状超格子太陽電池におけるフォトルミネッセンスピークの励起光強度依存性 von 武田, 奈々, 駒場, 森太郎, 浅見, 明太, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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1J3-2 光熱変換分光法による超格子太陽電池のキャリア輸送特性へ歪緩和層が与える影響評価 von 渡部, 愛理, 中村, 翼, 岩永, 凌平, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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1P1-8 光熱変換分光測定と多層膜計算によるSiナノピラー/SiGe複合膜の熱伝導率の解析 von 原田, 知季, 安藝, 翼, 大堀, 大介, 寒川, 誠二, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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1J1-4 圧電素子光熱分光法による多接合太陽電池に於けるキャリ再結合断面プロファイル(超音波物性・光超音波エレクトロニクスI) von 杉本, 泰士, 相原, 健人, 福山, 敦彦, 碇, 哲雄

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InGaAs/GaAsP超格子太陽電池のキャリア輸送特性へ障壁層P組成変化による歪が及ぼす影響 von 山本, 尚輝, 駒場, 森太郎, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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PR法を用いた波状超格子太陽電池のバンド構造評価 von 駒場, 森太郎, 山本, 尚輝, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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光ヘテロダイン光熱変位法によるSi熱伝導率の非破壊非接触測定 von 原田, 知季, 安良田, 裕基, 森田, 浩右, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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3P1-7 光熱変換法によるInGaAs/GaAsP超格子に形成されるミニバンド端エネルギーの測定 von 碇, 哲雄, 福山, 敦彦, 中村, 翼, 杉山, 正和, 中野, 義昭

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フォトルミネッセンス分光法を用いた歪緩和層挿入超格子太陽電池における正孔輸送に関する解析 von 渡部, 愛理, 古川, 諒, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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シリコンナノピラーの間隔変化による熱特性への影響 von 原田, 知季, 安良田, 裕基, 大堀, 大介, 寒川, 誠二, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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PPT法による歪緩和層挿入超格子太陽電池におけるキャリア輸送特性へ正孔が与える影響 von 古川, 諒, 渡部, 愛理, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響 von 宮内, 雄大, 川畑, 公佑, 中村, 泰樹, 間野, 高明, 野田, 武司, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピークエネルギー温度依存性と人工濡れ層の関係 von 宮内, 雄大, 江添, 悠平, 間野, 高明, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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歪緩和層挿入による超格子太陽電池のキャリア輸送特性変化 von 渡部, 愛理, 中村, 翼, 岩永, 凌平, 杉山, 正和, 碇, 哲雄, 福山, 敦彦

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Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate von Suzuki, Hidetoshi, Ito, Daiki, Fukuyama, Atsuhiko, Ikari, Tetsuo

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Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy von Suzuki, Hidetoshi, Suzuki, Akio, Fukuyama, Atsuhiko, Ikari, Tetsuo

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