Ge上InGaAsナノワイヤ選択成長と組成変調 von 吉田, 旭伸, 冨岡, 克広, 石坂, 文哉, 本久, 順一

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GaN(10-10)上へのウルツ鉱構造AlInPの成長と緑色発光 von 福井, 孝志, 平谷, 佳大, 石坂, 文哉, 冨岡, 克広

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Ge(111)基板上InGaAsナノワイヤ選択成長 von 吉田, 旭伸, 冨岡, 克広, 石坂, 文哉, 千葉, 康平, 本久, 順一, 福井, 孝志

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InP/AlGaPコアシェルナノワイヤの結晶構造評価 von 石坂, 文哉, 平谷, 佳大, 冨岡, 克広, 福井, 孝志

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MOVPE法によるGaN基板上のウルツ鉱構造AlInP成長 von 平谷, 佳大, 石坂, 文哉, 冨岡, 克広, 福井, 孝志

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Si/InAsヘテロ接合縦型トンネルFETのチャネル層ドーピング効果 von 冨岡, 克広, 石坂, 文哉, 中井, 栄治, 福井, 孝志

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MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InP/AlGaPコアシェルナノワイヤ成長 von 石坂, 文哉, 冨岡, 克広, 福井, 孝志

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MOVPE選択成長法によるポリシリコン薄膜上のGaAsナノワイヤの作製と評価 (II) von 池尻, 圭太郎, 石坂, 文哉, 冨岡, 克広, 福井, 孝志

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InPナノワイヤの双方向成長機構 von 池尻, 圭太郎, 石坂, 文哉, 冨岡, 克広, 福井, 孝志

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