直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2) von 早坂, 夏樹, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 松浦, 正樹, 矢田, 拓夢, 下村, 和彦

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ダブルキャップ法を用いたInAs量子ドット構造のPL特性の比較 von 矢田, 拓夢, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 韓, 旭, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPハイメサレーザの室温発振特性 von 内田, 和希, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 杉山, 滉一, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 矢田, 拓夢, 松浦, 正樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の評価 von 松浦, 正樹, 早坂, 夏樹, 韓, 旭, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 矢田, 拓夢, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザにおける電気特性のInPテンプレート膜厚依存性 von 韓, 旭, Kallarasan, Gandhi, 内田, 和希, 相川, 政輝, 杉山, 滉一, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 矢田, 拓夢, 下村, 克彦

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の発振特性 von 杉山, 滉一, 内田, 和希, 韓, 旭, 矢田, 拓夢, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける発振特性のInPテンプレート膜厚依存性 von 韓, 旭, 内田, 和希, 相川, 政輝, 杉山, 滉一, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 対馬, 幸樹, 石崎, 隆浩, 白井, 琢人, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの発振特性 von 石崎, 隆浩, 杉山, 滉一, 内田, 和希, 韓, 旭, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 対馬, 幸樹, 白井, 琢人, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザ構造のX線回折評価直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザ構造のX線回折評価 von 対馬, 幸樹, 杉山, 滉一, 内田, 和希, 韓, 旭, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 松浦, 正樹, 石崎, 隆浩, 白井, 琢人, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける電流電圧特性のInP膜厚依存性について von 白井, 琢人, 早坂, 夏樹, 相川, 政輝, 韓, 旭, 杉山, 滉一, 内田, 和希, 松浦, 正樹, 石崎, 隆浩, 対馬, 幸樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板における発振特性のアニール時間依存性 von 松浦, 正樹, 早坂, 夏樹, 韓, 旭, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 下村, 和彦, 石崎, 隆浩, 対馬, 幸樹, 白井, 琢人

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討 von 杉山, 滉一, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, 内田, 和希, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性 von 内田, 和希, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandi, 杉山, 滉一, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性 von 矢田, 拓夢, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 早坂, 夏樹, 佐藤, 栄成, 松浦, 正樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 von 早坂, 夏樹, 大貫, 雄也, 鎌田, 直樹, 韓, 旭, 相川, 政輝, 内田, 和樹, 杉山, 滉一, 松浦, 正樹, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 矢田, 拓夢, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討 von 杉山, 滉一, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, 内田, 和希, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性 von 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性 von 内田, 和希, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, 韓, 旭, Kallarasan, Periyanayagam Gandhi, 杉山, 滉一, 相川, 政輝, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性 von 韓, 旭, 鎌田, 直樹, 大貫, 雄也, べリヤナヤガム, ガンディカッラサン, 内田, 和希, 相川, 政輝, 杉山, 滉一, 早坂, 夏樹, 下村, 和彦

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直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性 von 大貫, 雄也, 西山, 哲央, 鎌田, 直樹, 韓, 旭, 相川, 政輝, 内田, 和希, 杉山, 滉一, 下村, 和彦

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