01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議) von 疋田, 卓也, 村上, 倫章, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 熊川, 征司, 早川, 泰弘

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Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of InxGa1−xSb by vertical gradient freezing method under microgravity von Nirmal Kumar, V., Hayakawa, Y., Arivanandhan, M., Rajesh, G., Koyama, T., Momose, Y., Ozawa, T., Okano, Y., Inatomi, Y.

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国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下におけるGaSb(111)Ga面及びSb面種結晶からのInGaSb三元混晶結晶成長 von 早川, 泰弘, Kumar, Velu Nirmal, Arivanandhan, Mukannan, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 阪田, 薫穂, 小澤, 哲夫, 岡野, 泰則, 稲富, 裕光

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Vertical gradient solution growth of N-type Si0.73Ge0.27 bulk crystals with homogeneous composition and its thermoelectric properties von Omprakash, M., Arivanandhan, M., Sabarinathan, M., Koyama, T., Momose, Y., Ikeda, H., Tatsuoka, H., Aswal, D.K., Bhattacharya, S., Inatomi, Y., Hayakawa, Y.

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均一組成p型及びn型 Si1-xGex バルク結晶の熱電特性 von ムスサミー, オムプラカシ, ムカンナン, アリバナンドハン, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 池田, 浩也, 立岡, 浩一, 岡野, 泰則, 小澤, 哲夫, 稲富, 裕光, ショビット, バタチャヤ, ディネシュ, アスウォル, シダラン, ムーシーバブ, 早川, 泰弘

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国際宇宙ステーション内の微小重力環境下と1G下で成長したInGaSb結晶の特性 von ベルー, ニーマルクマール, ムカンナン, アリバナンドハン, ゴビンダサミー, ラジェッシュ, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 稲富, 裕光, 阪田, 薫穂, 石川, 毅彦, 高柳, 昌弘, 依田, 眞一, 上垣内, 茂樹, 小澤, 哲夫, 岡野, 泰則, 早川, 泰弘

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Ga添加SiGeバルク結晶の熱電特性 von 森井, 久史, 青木, 徹, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 池田, 浩也, 立岡, 浩一, 岡野, 泰則, 小澤, 哲夫, 稲富, 裕光, 早川, 泰弘

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High Power Factor of Ga-Doped Compositionally Homogeneous Si0.68Ge0.32 Bulk Crystal Grown by the Vertical Temperature Gradient Freezing Method von Omprakash, Muthusamy, Arivanandhan, Mukannan, Koyama, Tadanobu, Momose, Yoshimi, Ikeda, Hiroya, Tatsuoka, Hirokazu, Aswal, Dinesh K, Bhattacharya, Shovit, Okano, Yasunori, Ozawa, Tetsuo, Inatomi, Yuko, Babu, Sridharan Moorthy, Hayakawa, Yasuhiro

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A Review on InGaSb Growth under Microgravity and Terrestrial Conditions Towards Future Crystal Growth Project Using Chinese Recovery Satellite SJ-10 von Yu, Jianding, Liu, Yan, Pan, Xiuhong, Zhao, Hongyang, Kumar, Velu Nirmal, Arivanandhan, Mukannan, Momose, Yoshimi, Hayakawa, Yasuhiro, Zhang, Xingwang, Luo, Xinghong, Okano, Yasuhiro, Inatomi, Yuko

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Homogeneous InGaSb crystal grown under microgravity using Chinese recovery satellite SJ-10 von Yu, Jianding, Inatomi, Yuko, Nirmal Kumar, Velu, Hayakawa, Yasuhiro, Okano, Yasunori, Arivanandhan, Mukannan, Momose, Yoshimi, Pan, Xiuhong, Liu, Yan, Zhang, Xingwang, Luo, Xinghong

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Growth of InxGa1−xSb alloy semiconductor at the International Space Station (ISS) and comparison with terrestrial experiments von Inatomi, Y, Sakata, K, Arivanandhan, M, Rajesh, G, Nirmal Kumar, V, Koyama, T, Momose, Y, Ozawa, T, Okano, Y, Hayakawa, Y

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Growth of homogeneous polycrystalline Si1-xGex and Mg2Si1-xGex for thermoelectric application von HAYAKAWA, Yasuhiro, ARIVANANDHAN, Mukannan, BHATTACHARYA, Shovit, ASWAL, Dinesh Kumar, BABU, Sridharan Moorthy, INATOMI, Yuko, TATSUOKA, Hirokazu, SAITO, Yosuke, KOYAMA, Tadanobu, MOMOSE, Yoshimi, IKEDA, Hiroya, TANAKA, Akira, WEN, Cuilian, KUBOTA, Yoshihiro, NAKAMURA, Tamotsu

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TEOSを用いて作製したナノ構造の作製と構造評価 von 久木野, 史宜, 安田, 隆人, 百瀬, 与志美, 立岡, 浩一

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Investigation of directionally solidified InGaSb ternary alloys from Ga and Sb faces of GaSb(111) under prolonged microgravity at the International Space Station von Nirmal Kumar, Velu, Arivanandhan, Mukannan, Rajesh, Govindasamy, Koyama, Tadanobu, Momose, Yoshimi, Sakata, Kaoruho, Ozawa, Tetsuo, Okano, Yasunori, Inatomi, Yuko, Hayakawa, Yasuhiro

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均一組成Si1-xGex及びMg 2Si1-xGexバルク結晶の熱電特性 von 齋藤, 洋祐, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 田中, 昭, 池田, 浩也, 立岡, 浩一, 石田, 明広, 稲富, 裕光, 早川, 泰弘

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X線透過法によるGe融液中へのSi溶解過程のその場観察 von 森井, 久史, 青木, 徹, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 田中, 昭, 池田, 浩也, 立岡, 浩一, 岡野, 泰則, 小澤, 哲夫, 稲富, 裕光, 早川, 泰弘

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混晶半導体バルク結晶の溶質輸送に対する重力効果 von 早川, 泰弘, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 森井, 久史, 青木, 徹, 田中, 昭, 岡野, 泰則, 高木, 洋平, 小澤, 哲夫, 阪田, 薫穂, 稲富, 裕光

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Analysis of dissolution and growth process of SiGe alloy semiconductor based on penetrated X-ray intensities von Omprakash, M., Arivanandhan, M., Arun Kumar, R., Morii, H., Aoki, T., Koyama, T., Momose, Y., Ikeda, H., Tatsuoka, H., Okano, Y., Ozawa, T., Moorthy Babu, S., Inatomi, Y., Hayakawa, Y.

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均一組成Si1-xGexバルク結晶の熱電特性 von 齋藤, 洋祐, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 田中, 昭, 池田, 浩也, 立岡, 浩一, 石田, 明広, 稲富, 裕光, 早川, 泰弘

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X線その場観察実験と数値解析によるIn-Ga-Sb溶液中の溶質輸送機構の研究 von 鈴木, 那津輝, 森井, 久史, 青木, 徹, 小山, 忠信, 百瀬, 与志美, 田中, 昭, 高木, 洋平, 岡野, 泰則, 小澤, 哲夫, 稲富, 裕光, 早川, 泰弘

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