21pPSB-30 超格子GeTe/Sb_2Te_3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算 von 高戸, 真之, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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7pAH-2 シリセンリボンとゲルマネンリボンの端終端の効果の理論的研究(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 白石, 賢二, 白川, 裕規, 棚谷, 翔, 初貝, 安弘

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10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 白川, 裕規, 神谷, 克政, 渡部, 平司, 白石, 賢二

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第一原理計算による合金Ge-Sb-Te相変化メモリの解析 von 野原, 弘晶, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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SiO2 のカリウム不純物の原子構造と電子構造 von 宮島, 岳史, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3メモリの構造変化シミュレーション von 小川, 湧太郎, 野原, 弘晶, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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Amorphous-SiO2中の金属原子が示す化学的傾向 von 宮島, 岳史, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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Al2O3ゲート絶縁膜へのN混入による影響に関する理論的考察 von 小嶋, 英嗣, 長川, 健太, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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Amorphous-SiO2中の金属原子が示す化学傾向 von 宮島, 岳史, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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第一原理分子動力学法による超格子GeTe/Sb2Te3におけるGeTe層の非晶質-結晶間の相変化過程の解析 von 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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TMG分解の最終生成物に関する理論的考察 von 関口, 一樹, 白川, 裕規, 長川, 健太, 洗平, 昌晃, 寒川, 義裕, 柿本, 浩一, 白石, 賢二

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アモルファスAl2O3絶縁膜中のO空孔とAl空孔の理論的検討 von 小嶋, 英嗣, 長川, 健太, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 白石, 賢二

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GaN MOVPEにおける気相中および基板上での反応プロセス解明 von 関口, 一樹, 白川, 裕規, 長川, 健太, 洗平, 昌晃, 寒川, 義裕, 柿本, 浩一, 白石, 賢二

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Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究 von 名倉, 拓哉, 川内, 伸悟, 長川, 健太, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 影島, 博之, 遠藤, 哲郎, 白石, 賢二

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V-MOSFET の Si/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性 von 川内, 伸悟, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 影島, 博之, 遠藤, 哲郎, 白石, 賢二

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Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究 von 名倉, 拓哉, 川内, 伸悟, 長川, 健太, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 影島, 博之, 遠藤, 哲郎, 白石, 賢二

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縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における 圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究 von 川内, 伸悟, 白川, 裕規, 長川, 健太, 洗平, 昌晃, 影島, 博之, 遠藤, 哲郎, 白石, 賢二

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活性化エネルギーを考慮したTMG分解プロセスの理論的考察 von 関口, 一樹, 白川, 裕規, 長川, 健太, 洗平, 昌晃, 寒川, 義裕, 柿本, 浩一, 白石, 賢二

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SiCとAlN/GaN短周期超格子によるパワーデバイスの理論的提案 von 小嶋, 英嗣, 長川, 健太, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 海老原, 康裕, 金村, 高司, 恩田, 正一, 白石, 賢二

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V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 von 川内, 伸悟, 白川, 裕規, 洗平, 昌晃, 影島, 博之, 遠藤, 哲郎, 白石, 賢二

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