熱酸化およびスパッタ製膜SiO2上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性 von 天野, 郁馬, 瘧師, 貴幸, 谷澤, 涼太, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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単層Feナノドットアレイ単電子デバイスのオフセットチャージ安定性 von 瘧師, 貴幸, 浅井, 佑基, 本庄, 周作, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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異なるSiO2下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較 von 谷澤, 涼太, 天野, 郁馬, 瘧師, 貴幸, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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マルチドット単電子デバイスにおけるドットの三次元構造によるゲート容量の不均一化 von 瘧師, 貴幸, 浅井, 佑基, 卞, 範模, 天野, 郁馬, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存 von 天野, 郁馬, 瘧師, 貴幸, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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Feナノドットアレイを用いたダブルゲート単電子デバイスの作製と評価 von 瘧師, 貴幸, 浅井, 佑基, 卞, 範模, 天野, 郁馬, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける等周期クーロン振動特性の解析 von 瘧師, 貴幸, 浅井, 佑基, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの特性評価 von 浅井, 佑基, 瘧師, 貴幸, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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ダブルゲートFe-MgF2単電子トランジスタの作製と評価 von 瘧師, 貴幸, 浅井, 佑基, 福地, 厚, 有田, 正志, 高橋, 庸夫

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