3次元実装SSD用昇圧回路のEMC距離依存性評価 von 畑中, 輝義, 上口, 光, 竹内, 健

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3次元集積SSD昇圧回路ためのクラスタ化を用いたSi貫通電極制御手法 von 上口, 光, 畑中, 輝義, 竹内, 健

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One by one single-electron transport in nanomechanical Coulomb blockade shuttle von Azuma, Yasuo, Hatanaka, Teruyoshi, Kanehara, Masayuki, Teranishi, Toshiharu, Chorley, Simon, Prance, Jonathan, Smith, Charles G., Majima, Yutaka

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強誘電体NANDフラッシュメモリの履歴効果と高速・高信頼性SSD向けのための書き戻し消去法 von 宮地, 幸祐, 矢島, 亮児, 畑中, 輝義, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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Zero Vth Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cellによるリードディスターブ特性、プログラムディスターブ特性およびデータ保持特性の改善 von 畑中, 輝義, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V動作アダプティブチャージポンプ von 野田, 晋司, 畑中, 輝義, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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Fe(Ferroelectric)-NANDフラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法 von 矢島, 亮児, 畑中, 輝義, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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20 V昇圧回路を用いた3次元積層SSDのためのTSVの検討 von 上口, 光, 畑中, 輝義, 石田, 光一, 安福, 正, 高宮, 真, 桜井, 貴康, 竹内, 健

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単一セル自己昇圧法による1.0V動作，書き込み速度9.3GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD von 宮地, 幸祐, 野田, 晋司, 畑中, 輝義, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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0.5V動作強誘電体6T-SRAM von 田中丸, 周平, 畑中, 輝義, 矢島, 亮児, 高橋, 光恵, 酒井, 滋樹, 竹内, 健

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30a-G-2 ^ Zr(p,n)反応の全スピン移行及びパリティ分離 von 若狭, 智嗣, 酒井, 英行, 岡村, 弘之, 大津, 秀暁, 野中, 敬正, 大西, 哲哉, 矢向, 謙太郎, 関口, 仁子, 藤田, 哲史, 上坂, 友洋, 佐藤, 義輝, 石田, 悟, 坂本, 成彦, M.B, GREENFIELD, 畑中, 吉治

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8a-G-7 準弾性散乱の全偏極移行量測定 von 若狭, 智嗣, 酒井, 英行, 岡村, 弘之, 大津, 秀暁, 藤田, 哲史, 野中, 敬正, 石田, 悟, 坂本, 成彦, 上坂, 友洋, 佐藤, 義輝, 大西, 哲也, 畑中, 吉治

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