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    Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

    Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors von 申华军 唐亚超 彭朝阳 邓小川 白云 王弋宇 李诚瞻 刘可安 刘新宇

    Veröffentlicht in Chinese physics letters

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