シリコン基板上ヘテロエピタキシースレディング転位の発生と伝播制御(<小特集>格子不整合系のヘテロエピタキシー) von 田村, 誠男

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3p-C-3 超格子および高密度転位線を含む化合物半導体への重イオン照射効果 von 田村, 誠男

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27p-ZN-8 In_X Ga_<1-X>As/GaAs系で発生するミスフィット転位と貫通転位の性質 von 田村, 誠男, 橋本, 明弘

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V. ビームアニーリング von 石原, 宏, 田村, 誠男

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Siのパルスレーザーアニール : エピタキシャル成長と不純物固溶 : 招待講演 von 夏秋, 信義, 田村, 誠男, 徳山, 巍

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8p-E-10 イオン打込みによって生じたSi中の欠陥(II) von 田村, 誠男, 池田, 隆英

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7a-E-8 イオン打込みによって生じたSi中の欠陥 von 田村, 誠男, 池田, 隆英

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2p-C-10 The Initial Stages of Chemical Vapor Deposited Si on Sapphire von 田村, 誠男, 野村, 正敬

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15a-L-12 α-Al_2O_3基板上のSiの透過電顕による観察(II) von 田村, 誠男, 野村, 正敬

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4p-L-6 α-Al_2O_3上のSiの透過電子顕微鏡による観察 von 田村, 誠男, 野村, 正敬

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α-Al_2O_3を基板としたSiのEpitaxial Growth : 結晶成長 von 田村, 誠男, 野村, 正敬

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31p-CF-8 イオン打ち込みSi結晶表面のX線による評価(X線・粒子線) von 真瀬垣, 成隆, 小川, 貴史, 田村, 誠男, 石田, 興太郎

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30a-E-13 CAICISSによるAs_4圧下アニール(100)InP表面構造の解析 von 橋本, 明弘, 田中, 一郎, 大河内, 俊介, 田村, 誠男

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4a-PS-19 同軸型低速イオン散乱分光装置を用いたGaAsの表面観察 von 杉山, 直治, 橋本, 明弘, 中津川, 義規, 田村, 誠男

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半導体へのイオン打込みによって発生した二次欠陥 von 田村, 誠男, 宮崎, 隆雄, 徳山, 巍

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2p-TG-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation(IV) von 田村, 誠男, 杉田, 吉充, 野村, 正敬

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Si HomoepitasyのMisfit Dislocation I : X線, 粒子線 von 杉田, 吉充, 田村, 誠男, 菅原, 活郎

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8p-N-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation (III) von 田村, 誠男, 杉田, 吉充, 菅原, 活郎, 野村, 正敬

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Si HomoepitasyのMisfit Dislocation II : X線, 粒子線 von 杉田, 吉充, 田村, 誠男, 菅原, 活郎, 野村, 正敬

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Siへのイオン打込みによる格子欠陥 von 田村, 誠男

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