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    招待講演 低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO₂系強誘電体の実証 : 微細技術ノードの混載メモリへの展開

    招待講演 低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO₂系強誘電体の実証 : 微細技術ノードの混載メモリへの展開 von トープラサートポン カシディット, 田原 建人, 彦坂 幸信, 中村 亘, 齋藤 仁, 竹中 充, 高木 信一


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    Hf0.5Zr0.5O2強誘電体膜の薄膜化と低温プロセス化の両立の検討

    Hf0.5Zr0.5O2強誘電体膜の薄膜化と低温プロセス化の両立の検討 von 田原, 建人, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一


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    強誘電体HfxZr1-xO2の極薄膜化による低電圧保持特性と書換回数の向上

    強誘電体HfxZr1-xO2の極薄膜化による低電圧保持特性と書換回数の向上 von トープラサートポン, カシディット, 田原, 建人, 彦坂, 幸信, 中村, 亘, 齋藤, 仁, 竹中, 充, 高木, 信一


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    HfO2系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ

    HfO2系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ von トープラサートポン, カシディット, 田原, 建人, 福井, 太一郎, 林, 早阳, 渡辺, 耕坪, 竹中, 充, 高木, 信一


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    TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響

    TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響 von トープラサートポン, カシディット, 田原, 建人, 福井, 太一郎, 竹中, 充, 高木, 信一


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    Si/Hf0.5Zr0.5O2の界面特性改善に向けたアニール条件の検討

    Si/Hf0.5Zr0.5O2の界面特性改善に向けたアニール条件の検討 von 田原, 建人, 加藤, 公彦, トープラサートポン, カシディット, 竹中, 充, 高木, 信一


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