高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察 von 仲野, 靖孝, 松本, 実子, 穴田, 智史, 山本, 和生, 石川, 由加里, 平山, 司, 安藤, 悠人, 小倉, 昌也, 田中, 敦之, 本田, 善央, 天野, 浩

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SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色 von 浦野, 紫陽, 馬, 強, 安藤, 裕二, 田中, 敦之, 分島, 彰男

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GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価 von 齊藤, 裕人, 福井, 青空, 小畑, 智弘, 田中, 敦之, 須賀, 唯知, 竹内, 魁

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窒化物半導体中の転位のデバイス特性への影響 von 本田, 善央, 田中, 敦之, 川崎, 晟也, 渡邉, 浩崇, 天野, 浩

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GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響 von 伊藤, 佑太, 渡邉, 浩崇, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 狩野, 絵美, 新田, 州吾, 本田, 善央, 五十嵐, 信行, 田中, 敦之, 天野, 浩

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連続成長Npn接合を用いたAlGaN/GaN HBTの作製 von 隈部, 岳瑠, 安藤, 悠人, 渡邉, 浩崇, 出来, 真斗, 田中, 敦之, 新田, 州吾, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaNによるpn接合ダイオード中の光学的手法および電気的手法による欠陥評価 von 本田, 善央, 田中, 敦之, 川崎, 晟也, 出来, 真斗, 天野, 浩

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レーザ剥離技術を用いたGaN基板再生手法 von 田中, 敦之, 伊ヶ崎, 泰則, 天野, 浩

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レーザ剥離技術を用いて剥離したGaN基板の評価 von 田中, 敦之, 伊ヶ崎, 泰則, 天野, 浩

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Xバンド帯におけるGaN IMPATTダイオードの動作実証 von 川崎, 晟也, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 渡邉, 浩崇, 田中, 敦之, 新田, 州吾, 本田, 善央, 新井, 学, 天野, 浩

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GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響II von 伊藤, 佑太, 渡邉, 浩崇, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 狩野, 絵美, 新田, 州吾, 本田, 善央, 五十嵐, 信行, 田中, 敦之, 天野, 浩

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多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定 von 川崎, 晟也, 安藤, 悠人, 渡邉, 浩崇, 田中, 敦之, 出来, 真斗, 新田, 州吾, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響 von 伊藤, 佑太, 渡邉, 浩崇, 安藤, 悠人, 田中, 敦之, 出来, 真斗, 新田, 州吾, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaN HBTの作製に向けたp型GaNのドライエッチング von 隈部, 岳瑠, 安藤, 悠人, 渡邉, 浩崇, 田中, 敦之, 本田, 善央, 出来, 真斗, 新田, 州吾, 天野, 浩

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自立基板上GaNのステップバンチング状モフォロジー形成プロセス von 渡邉, 浩崇, 新田, 州吾, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 田中, 敦之, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaNによるpn接合ダイオード中の欠陥観察と逆方向リーク電流源の解明 von 本田, 善央, 田中, 敦之, 川崎, 晟也, 出来, 真斗, 天野, 浩

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GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性 von 山田, 剛大, 安藤, 悠人, 渡邉, 浩崇, 古澤, 優太, 出来, 真斗, 田中, 敦之, 新田, 州吾, 本田, 善央, 須田, 淳, 天野, 浩

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p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体: 第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ von 原嶋, 庸介, 中野, 崇志, 長川, 健太, 白石, 賢二, 押山, 淳, 寒川, 義裕, 宇佐美, 茂佳, 間山, 憲仁, 戸田, 一也, 田中, 敦之, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaN基板のオフ角度とMOVPE成長ステップバンチングとの相関 von 渡邉, 浩崇, 新田, 州吾, 安藤, 悠人, 出来, 真斗, 田中, 敦之, 本田, 善央, 天野, 浩

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GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布 von 安田, 優斗, 宇佐美, 茂佳, 田中, 敦之, 天野, 浩, 加藤, 正史

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