27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究 von 上殿, 明良, 村松, 誠, 生形, 友宏, 渡辺, 匡人, 市橋, 鋭也, 鈴木, 良一, 大平, 俊行, 三角, 智久, 高須, 誠一

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23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析 von 生形, 友宏, 上殿, 明良, 森下, 憲雄, 伊藤, 久義, 藤井, 知, 鹿田, 真一, 谷川, 庄一郎

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25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出 von 村松, 誠, 上殿, 明良, 生形, 友宏, 谷野, 浩敏, 中野, 明彦, 山本, 秀和, 鈴木, 良一, 大平, 俊行, 谷川, 庄一郎

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