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    The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

    The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors von 王鑫华 赵妙 刘新宇 蒲颜 郑英奎 魏珂

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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