Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system von 刘新宇 王弋宇 彭朝阳 李诚瞻 吴佳 白云 汤益丹 刘可安 申华军

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Influences of high-temperature annealing on atomic layer deposited Al2 O3/4H-SiC von 王弋宇 申华军 白云 汤益丹 刘可安 李诚瞻 刘新宇

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