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    Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes

    Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes von 王守国 张岩 张义门 张玉明

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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    Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers

    Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers von 王守国 张岩 张义门 张玉明

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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