离子注入4H—SiC MESFET器件的夹断电压 von 王守国 张义门 张玉明

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Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors von 王守国 张义门 张玉明

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Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes von 王守国 张岩 张义门 张玉明

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Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers von 王守国 张岩 张义门 张玉明

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